| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9S1T0BW |
| Capacidad | – 1TB |
| Interfaz | – PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 |
| Tamaño | – M.2 (2280) |
| Rendimiento | – Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s – Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 850.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS |
| CaracterĂsticas | – Memoria cachĂ©: HMB (bĂºfer de memoria del host) – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC(Garbage collection): Algoritmo de recolecciĂ³n automĂ¡tica de basura – SOPORTE DE CIFRADO  Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal  IEEE1667 (unidad cifrada) – Soporte WWN – Soporte del modo de suspensiĂ³n del dispositivo AlimentaciĂ³n – Consumo medio de energĂa (Nivel de sistema):  Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W – Consumo de energĂa (inactivo): TĂpico 60 mW – Consumo de energĂa (reposo del dispositivo): 5 mW tĂpico – Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % TensiĂ³n permitida – Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) – Temperatura de funcionamiento: 0 – 70 ºC Temperatura de funcionamiento – Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso – 80,15 x 22,15 x 2,38mm – Max. 9 g |
| Fecha de revisiĂ³n | 17-10-2024 por RTY |
07/03/2025 12:36:55
